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LOW temperature growth of gallium oxide thin films via plasma enhanced atomic layer deposition

MPG-Autoren
/persons/resource/persons135566

Rechmann,  Julian
Interface Spectroscopy, Interface Chemistry and Surface Engineering, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

O’Donoghue, R., Rechmann, J., Aghaee, M., Rogalla, D., Becker, H.-W., Creatore, M., et al. (2017). LOW temperature growth of gallium oxide thin films via plasma enhanced atomic layer deposition. Dalton Transactions. doi:10.1039/c7dt03427j.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002E-5426-0
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