Stress originating from nanovoids in hydrogenated amorphous semiconductors

Wang, Zumin; Flötotto, David; Mittemeijer, Eric Jan

doi:10.1063/1.4977853

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Stress originating from nanovoids in hydrogenated amorphous semiconductors

MPG-Autoren

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Mittemeijer, Eric Jan
Institute for Materials Science, University of Stuttgart;
Emeriti and Others, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Wang, Z., Flötotto, D., & Mittemeijer, E. J. (2017). Stress originating from nanovoids in hydrogenated amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, 121(9): 095307. doi:10.1063/1.4977853.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002E-08D3-B

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