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Zeitschriftenartikel

Nanoscale Characterization of Carrier Dynamic and Surface Passivation in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN Nanorods

MPG-Autoren
/persons/resource/persons201113

Latzel,  Michael
Micro- & Nanostructuring, Technology Development and Service Units, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society;

/persons/resource/persons201083

Heilmann,  Martin
Micro- & Nanostructuring, Technology Development and Service Units, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society;

/persons/resource/persons201040

Christiansen,  Silke
Christiansen Research Group, Research Groups, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society;
Micro- & Nanostructuring, Technology Development and Service Units, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society;

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Zitation

Chen, W., Wen, X., Latzel, M., Heilmann, M., Yang, J., Dai, X., et al. (2016). Nanoscale Characterization of Carrier Dynamic and Surface Passivation in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on GaN Nanorods. ACS Applied Materials & Interfaces, 8(46), 31887-31893. doi:10.1021/acsami.6b11675.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-6EAC-6
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