THz-photomixer based on quasi-ballistic transport

Dohler, GH; Renner, F; Klar, O; Eckardt, M; Schwanhausser, A; Malzer, S; Driscoll, D; Hanson, M; Gossard, AC; Loata, G; Loffler, T; Roskos, H

doi:10.1088/0268-1242/20/7/007

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THz-photomixer based on quasi-ballistic transport

MPG-Autoren

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Dohler, GH
Max Planck Research Group, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society;

/persons/resource/persons201122

Malzer, S
Max Planck Research Group, Max Planck Institute for the Science of Light, Max Planck Society;

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Zitation

Dohler, G., Renner, F., Klar, O., Eckardt, M., Schwanhausser, A., Malzer, S., et al. (2005). THz-photomixer based on quasi-ballistic transport. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 20(7), S178-S190. doi:10.1088/0268-1242/20/7/007.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002D-6DCA-A

Zusammenfassung

We report on a novel concept for THz photomixers with high conversion efficiency up to several THz. In contrast to the conventional pin photomixer we can overcome the trade-off between either optimizing transit-time or RC-roll-off. Using quasi-ballistic transport in nano-pin-diodes the transport path can be optimized regarding both path length and transit time. Independently, the capacitance can be kept small by using a sufficiently large number of optimized nano-pin-diodes in series. The concept is presented in detail and first experimental results are reported which corroborate our theoretical expectations.