Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
  Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht

Freigegeben
Zeitschriftenartikel

Optical investigations of the clathrate α-Eu8Ga16Ge30

MPG-Autoren
/persons/resource/persons126851

Sichelschmidt,  J.
Jörg Sichelschmidt, Physics of Quantum Materials, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

/persons/resource/persons126895

Voevodin,  V.
Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

/persons/resource/persons126791

Pacheco,  V.
Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

/persons/resource/persons126626

Grin,  Y.
Juri Grin, Chemical Metal Science, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

/persons/resource/persons126861

Steglich,  F.
Frank Steglich, Physics of Quantum Materials, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

Externe Ressourcen
Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt
Volltexte (beschränkter Zugriff)
Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.
Volltexte (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar
Ergänzendes Material (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar
Zitation

Sichelschmidt, J., Voevodin, V., Pacheco, V., Grin, Y., Steglich, F., Nishi, T., et al. (2005). Optical investigations of the clathrate α-Eu8Ga16Ge30. The European Physical Journal B, Condensend Matter Physics, 46(3), 363-366. doi:10.1140/epjb/e2005-00265-5.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0015-2CAF-9
Zusammenfassung
We performed measurements of the optical reflectivity in the energy range 0.007–30 eV on the clathrate-VIII type compound α-Eu8Ga16- xGe30 x in order to investigate its electronic band structure. The very low charge carrier concentration as well as ferromagnetic ordering of the divalent Eu ions below 10.5 K characterize the spectra at photon energies below ≃0.4 eV in accordance with the results of band structure calculations. Disorder induced bound states have been identified to affect the optical conductivity at energies between 10 and 100 meV.