Modellmäßige Behandlung optischer Elektronenübergänge in 
Störstellenhalbleitern. I

Reichardt, W

doi:10.1007/BF01333463

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Modellmäßige Behandlung optischer Elektronenübergänge in Störstellenhalbleitern. I

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Reichardt, W
Former Department Information Processing in Insects, Max Planck Institute for Biological Cybernetics, Max Planck Society;

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Reichardt, W. (1954). Modellmäßige Behandlung optischer Elektronenübergänge in Störstellenhalbleitern. I. Zeitschrift für Physik, 137(4), 503-515. doi:10.1007/BF01333463.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0013-F2FA-2

Zusammenfassung

Es werden die optischen Übergangswahrscheinlichkeiten für Elektronenübergänge zwischen Bandrändern und Zwischenbandtermen als Einelektronenproblem berechnet. Der Rechnung zugrunde gelegt wird ein ruhendes gestörtes Gitter, dessen Potentialverlauf modellmäßig durch ein gestörtesKronig-Potential beschrieben wird. Für die optischen Elektronenübergänge wird eine Auswahlregel gewonnen, die von der energetischen Lage der Zwischenbandterme unabhängig ist. Sodann wird die Wahrscheinlichkeit erlaubter Übergänge bei spontaner Emission in Abhängigkeit von der energetischen Lage der Zwischenbandterme berechnet. Es zeigt sich, daß die Übergangswahrscheinlichkeit mit zunehmendem energetischen Abstand Bandkanten—Zwischenbandterm ansteigt.