Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al2O3
)

Hieke, Stefan Werner; Dehm, Gerhard; Scheu, Christina

doi:10.1016/j.actamat.2017.08.050

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Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al₂O₃)

MPG-Autoren

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Hieke, Stefan Werner
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Dehm, Gerhard
Structure and Nano-/ Micromechanics of Materials, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons76047

Scheu, Christina
Nanoanalytics and Interfaces, Independent Max Planck Research Groups, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;
Materials Analytics, RWTH Aachen University, Kopernikusstrasse 10, Aachen, Germany;

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Zitation

Hieke, S. W., Dehm, G., & Scheu, C. (2017). Annealing induced void formation in epitaxial Al thin films on sapphire (α-Al₂O₃). Acta Materialia, 140, 355-365. doi:10.1016/j.actamat.2017.08.050.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0000-7341-5

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