Defect morphology and strain of CVD grown 3C-SiC layers: effect of the 
carbonization process

Mendez, D.; Aouni, A.; Morales, F. M.; Pacheco, F. J.; Araujo, D.; Bustarret, E.; Ferro, G.; Monteil, Y.

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Defect morphology and strain of CVD grown 3C-SiC layers: effect of the carbonization process

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Morales, F. M.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Mendez, D., Aouni, A., Morales, F. M., Pacheco, F. J., Araujo, D., Bustarret, E., et al. (2005). Defect morphology and strain of CVD grown 3C-SiC layers: effect of the carbonization process. Physica Status Solidi A, 202(4), 561-565.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-492D-A

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