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Zeitschriftenartikel

Growth of epitaxial Pr2O3 layers on Si(111)

MPG-Autoren
http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons76157

Stierle,  A.
Former Central Scientific Facility ANKA Synchroton Beamline, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Jeutter, N. M., Hennemeyer, M., Stark, R., Stierle, A., & Moritz, W. (2006). Growth of epitaxial Pr2O3 layers on Si(111). Materials Science in Semiconductor Processing, 9, 1079-1083.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4823-6
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