Interfacial microstructure and defect analysis in Cu(In,Ga)Se([sub]2)-based 
multilayered film by analytical transmission electron microscopy and focused 
ion beam

Zhang, Z.; Wagner, T.

doi:10.1016/j.tsf.2009.02.130

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Interfacial microstructure and defect analysis in Cu(In,Ga)Se([sub]2)-based multilayered film by analytical transmission electron microscopy and focused ion beam

MPG-Autoren

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Zhang, Z.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Wagner, T.
Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Zhang, Z., & Wagner, T. (2009). Interfacial microstructure and defect analysis in Cu(In,Ga)Se([sub]2)-based multilayered film by analytical transmission electron microscopy and focused ion beam. Thin Solid Films, 517(15), 4329-4335. doi:10.1016/j.tsf.2009.02.130.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3D0D-4

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