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Zeitschriftenartikel

Effect of overgrowth temperature on the photoluminescence of Ge/Si islands

MPG-Autoren

Schmidt,  O. G.
Max Planck Society;

Denker,  U.
Max Planck Society;

Eberl,  K.
Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75677

Kienzle,  O.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75448

Ernst,  F.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Schmidt, O. G., Denker, U., Eberl, K., Kienzle, O., & Ernst, F. (2000). Effect of overgrowth temperature on the photoluminescence of Ge/Si islands. Applied Physics Letters, 77, 2509-2511.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-39FD-6
Zusammenfassung
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