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Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands

MPG-Autoren
http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75677

Kienzle,  O.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75448

Ernst,  F.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Schmidt, O. G., Eberl, K., Kienzle, O., Ernst, F., Christiansen, S., & Strunk, H. P. (2000). Reduced critical thickness and photoluminescence line splitting in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands. Materials Science and Engineering B, 74, 248-252.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-37F2-A
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