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Zeitschriftenartikel

Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy

MPG-Autoren
http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons76017

Rühm,  A.
Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75634

Jin-Phillipp,  N. Y.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75946

Phillipp,  F.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons76073

Schröder,  H.
Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Zhou, H., Rühm, A., Jin-Phillipp, N. Y., Phillipp, F., Gross, M., & Schröder, H. (2001). Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy. Journal of Materials Research, 16(1), 261-267.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-35B1-E
Zusammenfassung
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