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Zeitschriftenartikel

Chemical solution deposition derived buffer layers for MOCVD- grown GaN films

MPG-Autoren
http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75960

Puchinger,  M.
Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons76249

Wagner,  T.
Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75211

Aldinger,  F.
Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;
Universität Stuttgart, Institut für Nichtmetallische Anorganische Materialien;

http://pubman.mpdl.mpg.de/cone/persons/resource/persons75228

Arzt,  E.
Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;
Universität Stuttgart, Institut für Metallkunde;

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Ergänzendes Material (frei zugänglich)
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Zitation

Puchinger, M., Wagner, T., Fini, P., Kisailus, D., Beck, U., Bill, J., et al. (2001). Chemical solution deposition derived buffer layers for MOCVD- grown GaN films. Journal of Crystal Growth, 233(1-2), 57-67.


Zitierlink: http://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-33E9-6
Zusammenfassung
Es ist keine Zusammenfassung verfügbar