Polarity selection in GaN films grown by laser induced reactive epitaxy

Zhou, H.; Henn, G.; Gross, M.; Schröder, H.; Phillipp, F.

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT

Zur Ablage hinzufügen

Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht

Freigegeben

Zeitschriftenartikel

Polarity selection in GaN films grown by laser induced reactive epitaxy

MPG-Autoren

/persons/resource/persons75946

Phillipp, F.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

Externe Ressourcen

Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt

Volltexte (beschränkter Zugriff)

Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.

Volltexte (frei zugänglich)

Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar

Ergänzendes Material (frei zugänglich)

Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar

Zitation

Zhou, H., Henn, G., Gross, M., Schröder, H., & Phillipp, F. (2001). Polarity selection in GaN films grown by laser induced reactive epitaxy. Physica Status Solidi A-Applied Research, 188(3), 1065-1070.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-339B-3

Zusammenfassung

Es ist keine Zusammenfassung verfügbar