Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT

Freigegeben

Zeitschriftenartikel

Laterally ordered Ge/Si islands: a new concept for faster field effect transistors

MPG-Autoren

Schmidt,  O. G.
Max Planck Society;

Denker,  U.
Max Planck Society;

/persons/resource/persons75634

Jin-Phillipp,  N. Y.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;
Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;
Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

/persons/resource/persons75448

Ernst,  F.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

Externe Ressourcen
Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt
Volltexte (beschränkter Zugriff)
Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.
Volltexte (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar
Ergänzendes Material (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar
Zitation

Schmidt, O. G., Denker, U., Dashiell, M., Jin-Phillipp, N. Y., Eberl, K., Schreiner, R., et al. (2002). Laterally ordered Ge/Si islands: a new concept for faster field effect transistors. Materials Science and Engineering B, 89, 101-105.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-32B0-A
Zusammenfassung
Es ist keine Zusammenfassung verfügbar