Self-diffusion of 31Si and 71Ge in relaxed Si0.20Ge0.80 layers

Laitinen, P.; Strohm, A.; Huikari, J.; Nieminen, A.; Voss, T.; Grodon, C.; Riihimäki, I.; Kummer, M.; Äystö, J.; Dendooven, P.; Räisänen, J.; Frank, W.

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Self-diffusion of ³¹Si and ⁷¹Ge in relaxed Si_0.20Ge_0.80 layers

MPG-Autoren

/persons/resource/persons76171

Strohm, A.
Dept. Theory of Inhomogeneous Condensed Matter, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

/persons/resource/persons76244

Voss, T.
Dept. Theory of Inhomogeneous Condensed Matter, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

/persons/resource/persons75530

Grodon, C.
Dept. Theory of Inhomogeneous Condensed Matter, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

/persons/resource/persons75471

Frank, W.
Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

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Zitation

Laitinen, P., Strohm, A., Huikari, J., Nieminen, A., Voss, T., Grodon, C., et al. (2002). Self-diffusion of ³¹Si and ⁷¹Ge in relaxed Si_0.20Ge_0.80 layers. Physical Review Letters, 89(8): 085902.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-301F-4

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