Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
  Lokale TagsFreigabegeschichteDetailsÜbersicht

Freigegeben
Zeitschriftenartikel

Influence of domain boundaries on polarity of GaN grown on sapphire

MPG-Autoren
/persons/resource/persons75946

Phillipp,  F.
Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

/persons/resource/persons76073

Schröder,  H.
Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society;

Externe Ressourcen
Es sind keine externen Ressourcen hinterlegt
Volltexte (beschränkter Zugriff)
Für Ihren IP-Bereich sind aktuell keine Volltexte freigegeben.
Volltexte (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Volltexte in PuRe verfügbar
Ergänzendes Material (frei zugänglich)
Es sind keine frei zugänglichen Ergänzenden Materialien verfügbar
Zitation

Zhou, H., Phillipp, F., Schröder, H., & Bell, J. M. (2005). Influence of domain boundaries on polarity of GaN grown on sapphire. Applied Surface Science, 252, 483-487.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2829-7
Zusammenfassung
Es ist keine Zusammenfassung verfügbar