Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei 
Röntgenbestrahlung

Pahlke, Andreas

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Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei Röntgenbestrahlung

Pahlke, A. (2004). Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei Röntgenbestrahlung. PhD Thesis, Technische Universität, München.

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Item Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-E0BC-E Version Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-E0BD-C

Genre: Thesis

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Pahlke, Andreas¹, Author

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1High Energy Astrophysics, MPI for Extraterrestrial Physics, Max Planck Society, ou_159890

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Language(s): deu - German

Dates: Accepted: 2004-02-03

Publication Status: Accepted / In Press

Pages: 183 S.

Publishing info: München : Technische Universität

Table of Contents: -

Rev. Type: -

Identifiers: eDoc: 213151
Other: AL 04/765
URI: http://tumb1.biblio.tu-muenchen.de/publ/diss/ph/2004/pahlke.html

Degree: PhD

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