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  High-Performance ZnO Nanowire Transistors with Aluminium Top-Gate Electrodes and Naturally Formed Hybrid Self-Assembled Monolayer/AlO<Sub>x</Sub> Gate Dielectric

Kaelblein, D., Ryu, H., Ante, F., Fenk, B., Hahn, K., Kern, K., et al. (2014). High-Performance ZnO Nanowire Transistors with Aluminium Top-Gate Electrodes and Naturally Formed Hybrid Self-Assembled Monolayer/AlOx Gate Dielectric. ACS Nano, 8, 6840-6848. doi:10.1021/nn501484e.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Kaelblein, Daniel1, Autor
Ryu, Hyeyeon1, Autor
Ante, Frederik1, Autor
Fenk, Bernhard1, Autor
Hahn, Kersten2, Autor           
Kern, Klaus1, Autor
Klauk, Hagen1, Autor
Affiliations:
1Max Planck Institute for Solid State Research, Heisenbergstrasse 1, 70569 Stuttgart, ou_persistent22              
2Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              

Inhalt

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Schlagwörter: StEM
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2014-06-182014
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1021/nn501484e
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: ACS Nano
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Washington, DC : American Chemical Society
Seiten: - Band / Heft: 8 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 6840 - 6848 Identifikator: Anderer: 1936-0851
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/1936-0851