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  Giant magneto resistance in semiconducting DyNiBi

Casper, F., & Felser, C. (2008). Giant magneto resistance in semiconducting DyNiBi. Solid State Communications, 148(5-6), 175-177. doi:10.1016/j.ssc.2008.08.027.

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Urheber

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 Urheber:
Casper, Frederick1, Autor
Felser, Claudia2, Autor           
Affiliations:
1external, ou_persistent22              
2External Organizations, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: The semiconducting half-Heulser compound DyNiBi shows a negative giant magneto resistance (GMR) below 200 K. Except for a weak deviation, this magnetoresistance scales roughly with the square of the magnetization in the paramagnetic state, and is related to the metal-insulator transition. At low temperature, a positive magnetoresistance is found, which can be suppressed by high fields. The magnitude of the positive magnetoresistance changes slightly with the amount of impurity phase. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2008-11-01
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: ISI: 000260481400001
DOI: 10.1016/j.ssc.2008.08.027
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Solid State Communications
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: New York : Pergamon
Seiten: - Band / Heft: 148 (5-6) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 175 - 177 Identifikator: ISSN: 0038-1098
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925445695