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  On the impact of indium distribution on the electronic properties in InGaN nanodisks

Benaissa, M., Sigle, W., Ng, T., El Bouayadi, R., van Aken, P. A., Jahangir, S., et al. (2015). On the impact of indium distribution on the electronic properties in InGaN nanodisks. Applied Physics Letters, 106: 101910. doi:10.1063/1.4915117.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Benaissa, Mohammed1, Autor
Sigle, Wilfried2, Autor           
Ng, T.K.3, Autor
El Bouayadi, R.4, Autor
van Aken, Peter Antonie2, Autor           
Jahangir, S5, Autor
Bhattacharya, P5, Autor
Ooi, B.S.3, Autor
Affiliations:
1LMPHE, University Mohammed V, Rabat, Morocco, ou_persistent22              
2Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
3Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia, ou_persistent22              
4LPMR, University Mohammed Premier,Oujda, Morocco, ou_persistent22              
5Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan, USA, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: StEM
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2015-03-122015
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1063/1.4915117
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
  Kurztitel : Appl. Phys. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Melville, NY : American Institute of Physics
Seiten: 4 Band / Heft: 106 Artikelnummer: 101910 Start- / Endseite: - Identifikator: Anderer: 0003-6951
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954922836223