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  Characterization of Junction Gate Field-Effect Transistors at Room Temperature and 77K

Geist, J. (2011). Characterization of Junction Gate Field-Effect Transistors at Room Temperature and 77K. Bachelor Thesis, Ruprecht-Karls-Universität, Heidelberg.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-6734-A Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-6735-8
Genre: Hochschulschrift

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Geist, Jeschua1, Autor           
Affiliations:
1Division Prof. Dr. Werner Hofmann, MPI for Nuclear Physics, Max Planck Society, ou_904550              

Inhalt

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Details

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Sprache(n):
 Datum: 2011
 Publikationsstatus: Angenommen
 Seiten: 35, XVII S.
 Ort, Verlag, Ausgabe: Heidelberg : Ruprecht-Karls-Universität
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: Bachelor

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle

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