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  TEM for strain-engineered devices: Dark-field inline holography for nanoscale strain mapping

Özdöl, V. B., van Aken, P. A., & Koch, C. T. (2012). TEM for strain-engineered devices: Dark-field inline holography for nanoscale strain mapping. G.I.T. Imaging and Microscopy, 3, 18-20.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000E-BB01-B Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000E-BB03-7
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Özdöl, V. B.1, Autor           
van Aken, P. A.1, Autor           
Koch, C. T.1, 2, Autor           
Affiliations:
1Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497669              
2Institute for Experimental Physics, Ulm University, Ulm, Germany, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: Stuttgart Center for Electron Microscopy
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2012
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 3
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Keine Begutachtung
 Identifikatoren: -
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: G.I.T. Imaging and Microscopy
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Weinheim : GIT Publishers; John Wiley
Seiten: - Band / Heft: 3 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 18 - 20 Identifikator: -