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  Fe3O4/ZnO: A high-quality magnetic oxide-semiconductor heterostructure by reactive deposition

Paul, M., Kufer, D., Müller, A., Brück, S., Goering, E., Kamp, M., et al. (2011). Fe3O4/ZnO: A high-quality magnetic oxide-semiconductor heterostructure by reactive deposition. Applied Physics Letters, 98: 012512. doi:10.1063/1.3540653.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : Appl. Phys. Lett.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Paul, M.1, Autor
Kufer, D.1, Autor
Müller, A.2, Autor           
Brück, S.3, Autor           
Goering, E.3, Autor           
Kamp, M.1, Autor
Verbeeck, J.1, Autor
Tian, H.1, Autor
Van Tendeloo, G.1, Autor
Ingle, N. J. C.1, Autor
Sing, M.1, Autor
Claessen, R.1, Autor
Affiliations:
1Experimentelle Physik 4, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany; Technische Physik, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany; Electron Microscopy for Materials Science, University of Antwerp, 2020 Antwerp, Belgium; Advanced Materials and Process Engineering Laboratory, University of British Columbia, V6T 1Z4 Vancouver, Canada, ou_persistent22              
2Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497654              
3Dept. Modern Magnetic Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497648              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Schütz;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2011
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 3 pp.
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 523229
DOI: 10.1063/1.3540653
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letters
  Alternativer Titel : Appl. Phys. Lett.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 98 Artikelnummer: 012512 Start- / Endseite: - Identifikator: -