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  Simon Charles Moss

Schönfeld, B., & Wochner, P. (2011). Simon Charles Moss. Journal of Applied Crystallography, 44, 887-888. doi:10.1107/S0021889811019091.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4C7F-D Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4C80-7
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Schönfeld, Bernd1, Autor
Wochner, Peter2, Autor           
Affiliations:
1ETH Zürich, Metal Physics and Technology, ou_persistent22              
2Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Intelligente Systeme; Abt. Dosch/Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2011-08
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Interne Begutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 571966
DOI: 10.1107/S0021889811019091
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Crystallography
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 44 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 887 - 888 Identifikator: -