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  Growth of epitaxial Pr2O3 layers on Si(111)

Jeutter, N. M., Hennemeyer, M., Stark, R., Stierle, A., & Moritz, W. (2006). Growth of epitaxial Pr2O3 layers on Si(111). Materials Science in Semiconductor Processing, 9, 1079-1083.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4823-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-4824-4
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Jeutter, N. M1, Autor
Hennemeyer, M.1, Autor
Stark, R.1, Autor
Stierle, A.2, Autor           
Moritz, W.1, Autor
Affiliations:
1Department of Earth and Environmental Sciences, Universität München, 80333 München, Germany, ou_persistent22              
2Former Central Scientific Facility ANKA Synchroton Beamline, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497651              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Dosch;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2006
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 298746
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science in Semiconductor Processing
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 9 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1079 - 1083 Identifikator: -