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  Controlled enhancement of the electron field-effect mobility of F16CuPc thin-film transistors by use of functionalized SiO2 substrates

de Oteyza, D., Barrena, E., Osso, J., Dosch, H., Meyer, S., & Pflaum, J. (2006). Controlled enhancement of the electron field-effect mobility of F16CuPc thin-film transistors by use of functionalized SiO2 substrates. Applied Physics Letter, 87: 183504.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
de Oteyza, D.1, Autor           
Barrena, E.1, Autor           
Osso, J.O.2, Autor
Dosch, H.1, 3, Autor           
Meyer, S.2, Autor
Pflaum, J.2, Autor
Affiliations:
1Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
2Institut de Ciènca de Materials de Barcelona, CSIC, E-08190 Bellaterra, Spain; Institut für Theoretische und Angewandte Physik, Universität Stuttgart, D-70550 Stuttgart, Germany, III. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, D-70550 Stuttgart, Germany, ou_persistent22              
3Universität Stuttgart, Institut für Theoretische und Angewandte Physik, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Dosch;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2006-10-26
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 265943
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Applied Physics Letter
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 87 Artikelnummer: 183504 Start- / Endseite: - Identifikator: -