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  Stress release drives growth transition of quaterrrylene thin films on SiO surfaces

Hayakawa, R., Zhang, X., Dosch, H., Hiroshiba, N., Chikyow, T., & Wakayama, Y. (2009). Stress release drives growth transition of quaterrrylene thin films on SiO surfaces. Journal of Physical Chemistry C, 113(6), 2197-2199. doi:10.1021/jp809556p.

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Urheber

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 Urheber:
Hayakawa, R.1, Autor
Zhang, X.N.2, Autor           
Dosch, H.2, 3, Autor           
Hiroshiba, N.1, Autor
Chikyow, T.1, Autor
Wakayama, Y.1, Autor
Affiliations:
1Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan;, ou_persistent22              
2Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
3Universität Stuttgart, Institut für Theoretische und Angewandte Physik, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Dosch/Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2009-01-20
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 413808
DOI: 10.1021/jp809556p
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Physical Chemistry C
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 113 (6) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 2197 - 2199 Identifikator: -