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  The importance of grain boundaries for the time-dependent mobility degradation in organic thin-film transistors

Weitz, R. T., Amsharov, K., Zschieschang, U., Burghard, M., Jansen, M., Kelsch, M., et al. (2009). The importance of grain boundaries for the time-dependent mobility degradation in organic thin-film transistors. Chemistry of Materials, 21(20), 4949-4954. doi:10.1021/cm902145x.

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Urheber

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 Urheber:
Weitz, R. T.1, Autor
Amsharov, K.1, Autor
Zschieschang, U.1, Autor
Burghard, M.1, Autor
Jansen, M.1, Autor
Kelsch, M.2, 3, Autor           
Rhamati, B.1, Autor
van Aken, P. A.3, Autor           
Kern, K.1, Autor
Klauk, H.1, Autor
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              
3Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; MPI für Festkörperforschung; MPI für Festkörperforschung; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM); Jansen; Kern;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2009-10-27
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 438378
DOI: 10.1021/cm902145x
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Chemistry of Materials
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 21 (20) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 4949 - 4954 Identifikator: -