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  Strain mapping of 45 nm MOSFET by dark-field inline electron holography

Özdöl, V. B., Koch, C. T., & van Aken, P. A. (2010). Strain mapping of 45 nm MOSFET by dark-field inline electron holography. Microscopy and Microanalysis, 16(Suppl. 2), 592-593.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3C13-7 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3C14-5
Genre: Konferenzbeitrag
Alternativer Titel : Microsc. Microanal.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Özdöl, V. B.1, Autor           
Koch, C. T.1, 2, Autor           
van Aken, P. A.1, Autor           
Affiliations:
1Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Stuttgart Center for Electron Microscopy (StEM);
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2010
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Interne Begutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 493457
DOI: 10.1017/S1431927610057090
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Microscopy and Microanalysis 2010
Veranstaltungsort: Portland, Oregon, USA
Start-/Enddatum: 2010-08-01 - 2010-08-05

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Microscopy and Microanalysis
  Alternativer Titel : Microsc. Microanal.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 16 (Suppl. 2) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 592 - 593 Identifikator: -