Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

 
 
DownloadE-Mail
  Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy

Zhou, H., Rühm, A., Jin-Phillipp, N. Y., Phillipp, F., Gross, M., & Schröder, H. (2001). Characterization of GaN grown on sapphire by laser-induced molecular beam epitaxy. Journal of Materials Research, 16(1), 261-267.

Item is

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : J. Mater. Res.

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Zhou, H.1, Autor
Rühm, A.2, Autor           
Jin-Phillipp, N. Y.3, Autor           
Phillipp, F.3, Autor           
Gross, M.1, Autor
Schröder, H.2, Autor           
Affiliations:
1Inst Tech Phys, D-70569 Stuttgart, Germany, ou_persistent22              
2Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
3Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              

Inhalt

einblenden:
ausblenden:
Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Ehemalige Abt. Rühle; ZWE Hochspannungs-Mikroskopie;
 Zusammenfassung: -

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 2001-01
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 24403
ISI: 000166281200039
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Journal of Materials Research
  Alternativer Titel : J. Mater. Res.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 16 (1) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 261 - 267 Identifikator: ISSN: 0884-2914