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  Interface of directly bonded GaAs and InP

Jin-Phillipp, N. Y., Sigle, W., Black, A., Babic, D., Bowers, J. E., Hu, E. L., et al. (2001). Interface of directly bonded GaAs and InP. Journal of Applied Physics, 89(2), 1017-1024.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3597-A Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3598-8
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : J. Appl. Phys.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Jin-Phillipp, N. Y.1, 2, 3, Autor           
Sigle, W.1, 3, Autor           
Black, A.4, Autor
Babic, D.4, Autor
Bowers, J. E.4, Autor
Hu, E. L.4, Autor
Rühle, M.1, Autor           
Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              
2Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
3Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
4Univ Calif Santa Barbara, QUEST, Santa Barbara, CA 93106 USA; Agilent Labs, Palo Alto, CA 94304 USA, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2001-01-15
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 21807
ISI: 000166144400030
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 89 (2) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1017 - 1024 Identifikator: ISSN: 0021-8979