Fully relaxed Si0.7Ge0.3 buffers grown on patterned silicon substrates for 
hetero-CMOS transistors

Wohl, G.; Kasper, E.; Hackbarth, T.; Kibbel, H.; Klose, M.; Ernst, F.

Fully relaxed Si_0.7Ge_0.3 buffers grown on patterned silicon substrates for hetero-CMOS transistors

Wohl, G., Kasper, E., Hackbarth, T., Kibbel, H., Klose, M., & Ernst, F. (2001). Fully relaxed Si_0.7Ge_0.3 buffers grown on patterned silicon substrates for hetero-CMOS transistors. Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 12(4-6), 235-240.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-34E4-8 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-34E5-6

資料種別: 学術論文

その他のタイトル : J. Mater. Sci.-Mater. Electron.

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Wohl, G.¹, 著者
Kasper, E.¹, 著者
Hackbarth, T.¹, 著者
Kibbel, H.¹, 著者
Klose, M.¹, 著者
Ernst, F.², 著者

所属:
1Univ Stuttgart, Inst Halbleitertech, Pfaffenwaldring 47, D-; 70569 Stuttgart, Germany; Univ Stuttgart, Inst Halbleitertech, D-70569 Stuttgart, Germany; DaimlerChrysler AG, Res & Technol, D-89081 Ulm, Germany; German Aerosp Ctr, Inst Tech Phys, D-70569 Stuttgart, Germany;, ou_persistent22
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657

内容説明

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キーワード: MPI für Intelligente Systeme; Ehem. Abt. Rühle;

要旨: -

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言語: eng - English

日付: 出版: 2001-06

出版の状態: 出版

ページ: -

出版情報: -

目次: -

査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 122982
ISI: 000169734400009

学位: -

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出版物 1

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出版物名: Journal of Materials Science-Materials in Electronics

出版物の別名 : J. Mater. Sci.-Mater. Electron.

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: -

ページ: - 巻号: 12 (4-6) 通巻号: - 開始・終了ページ: 235 - 240 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0957-4522

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