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  Vertical alignment of laterally ordered InAs and InGaAs quantum dot arrays on patterned (001) GaAs substrates

Nakamura, Y., Schmidt, O. G., Jin-Phillipp, N. Y., Kiravittaya, S., Müller, C., Eberl, K., et al. (2002). Vertical alignment of laterally ordered InAs and InGaAs quantum dot arrays on patterned (001) GaAs substrates. Journal of Crystal Growth, 242(3-4), 339-344.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Nakamura, Y.1, Autor
Schmidt, O. G.2, Autor
Jin-Phillipp, N. Y.3, 4, 5, Autor           
Kiravittaya, S.2, Autor
Müller, C.6, Autor           
Eberl, K.1, Autor
Gräbeldinger, H.1, Autor
Schweizer, H.1, Autor
Affiliations:
1Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, ou_persistent22              
2Max Planck Society, ou_persistent13              
3Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              
4Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
5Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
6Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497654              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle; 58-ru_2002;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n):
 Datum: 2002
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 11010
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Crystal Growth
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 242 (3-4) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 339 - 344 Identifikator: -