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  Low temperature epitaxial growth of germanium islands in active regions of Si interband tunneling diods

Daschiel, M., Müller, C., Jin-Phillipp, N. Y., Denker, U., Schmidt, O. G., & Eberl, K. (2002). Low temperature epitaxial growth of germanium islands in active regions of Si interband tunneling diods. Materials Science and Engineering B, 89, 106-110.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3296-6 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-3297-4
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Daschiel, M.1, Autor
Müller, C.2, Autor           
Jin-Phillipp, N. Y.3, 4, 5, Autor           
Denker, U.6, Autor
Schmidt, O. G.6, Autor
Eberl, K.1, Autor
Affiliations:
1Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart, ou_persistent22              
2Former Dept. Materials Synthesis and Microstructure Design, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497654              
3Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              
4Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              
5Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669              
6Max Planck Society, ou_persistent13              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle; 38-ru_2002
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2002
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 10819
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Materials Science and Engineering B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 89 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 106 - 110 Identifikator: -