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  Quantitative AES depth profiling of a Ge/Si multilayer structure

Hofmann, S., & Kesler, V. (2002). Quantitative AES depth profiling of a Ge/Si multilayer structure. Surface and Interface Analysis, 33(6), 461-471.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-30E7-F Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-30E8-D
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : Surf. Interface Anal.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Hofmann, S.1, Autor           
Kesler, V.2, Autor
Affiliations:
1Dept. Phase Transformations; Thermodynamics and Kinetics, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497644              
2Russian Acad Sci, Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Mittemeijer; depth profiling; Ge/Si interface; multilayer; MRI model; sputtering
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2002-06
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 6791
ISI: 000176481600001
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Surface and Interface Analysis
  Alternativer Titel : Surf. Interface Anal.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 33 (6) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 461 - 471 Identifikator: ISSN: 0142-2421