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  Microstructural evolution of precursor-derived gallium nitride thin films

Puchinger, M., Kisailus, D. J., Lange, F. F., & Wagner, T. (2002). Microstructural evolution of precursor-derived gallium nitride thin films. Journal of Crystal Growth, 245(3-4), 219-227.

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Basisdaten

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Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : J. Cryst. Growth

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:
44-ar_2002.pdf (Zusammenfassung), 55KB
 
Datei-Permalink:
-
Name:
44-ar_2002.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Eingeschränkt (Max Planck Institute for Intelligent Systems, MSMT; )
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf
Technische Metadaten:
Copyright Datum:
-
Copyright Info:
eDoc_access: INSTITUT
Lizenz:
-

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Puchinger, M.1, Autor           
Kisailus, D. J.2, Autor
Lange, F. F.2, Autor
Wagner, T.3, Autor           
Affiliations:
1Former Dept. Micro/Nanomechanics of Thin Films and Biological Systems, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497655              
2Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA, ou_persistent22              
3Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497640              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; MPI für Metallforschung; Abt. Arzt; Abt. Arzt; ZWE Dünnschichtlabor; 44-ar_2002; chemical solution deposition (CSD); precursor pyrolysis; vapor phase transport; gallium nitride; gallium oxide nitride
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2002-11
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 6665
ISI: 000179132100006
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Crystal Growth
  Alternativer Titel : J. Cryst. Growth
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 245 (3-4) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 219 - 227 Identifikator: ISSN: 0022-0248