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  Transmission electron microscopy analysis of silicides used in ALSB-SOI MOSFET structures

Katcki, J., Ratajczak, J., Laszcz, A., Phillipp, F., Dubois, E., Larrieu, G., et al. (2003). Transmission electron microscopy analysis of silicides used in ALSB-SOI MOSFET structures. In A. Cullis, & P. Midgley (Eds.), Microscopy of Semiconducting Materials 2003 (pp. 479-482). London: Institute of Physics.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Katcki, J.1, Autor
Ratajczak, J.1, Autor
Laszcz, A.1, Autor
Phillipp, F.2, Autor           
Dubois, E.1, Autor
Larrieu, G.1, Autor
Penaud, J.1, Autor
Baie, X.1, Autor
Affiliations:
1Institute of Electron Technology, Warsaw, PolandIEMN/ISEN, UMR CNRS 8520, Villeneuve d'Ascq, France, ou_persistent22              
2Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497657              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Intelligente Systeme; Ehem. Abt. Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2003
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 169749
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Microscopy of Semiconducting Materials 2003
Veranstaltungsort: Cambridge, UK
Start-/Enddatum: 2003-03-21 - 2003-04-03

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Microscopy of Semiconducting Materials 2003
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Cullis, A., Herausgeber
Midgley, P.A., Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: London : Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 479 - 482 Identifikator: ISBN: 0 7503 0979 2

Quelle 2

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Titel: Institute of Physics Conference Series
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 180 Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -