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  Cracking of III-nitride multiple heterostructures grown by MOVPE on (0001)-6H-SiC and Al2O3

Hasenkopf, A., Phillipp, F., Moutchnik, G., Ivanov, A., & Scholz, F. (2003). Cracking of III-nitride multiple heterostructures grown by MOVPE on (0001)-6H-SiC and Al2O3. In A. Cullis, & P. Midgley (Eds.), Microscopy of Semiconducting Materials 2003 (pp. 355-358). London: Institute of Physics.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2F1F-B Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2F21-3
Genre: Konferenzbeitrag

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Hasenkopf, A.1, Autor           
Phillipp, F.1, Autor           
Moutchnik, G.2, Autor
Ivanov, A.2, Autor
Scholz, F.2, Autor
Affiliations:
1Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497657              
24. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Stuttgart, Germany, ou_persistent22              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Intelligente Systeme; Ehem. Abt. Rühle;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2003
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 169732
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Titel: Microscopy of Semiconducting Materials 2003
Veranstaltungsort: Cambridge, UK
Start-/Enddatum: 2003-03-31 - 2003-04-03

Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Microscopy of Semiconducting Materials 2003
Genre der Quelle: Konferenzband
 Urheber:
Cullis, A., Herausgeber
Midgley, P.A., Herausgeber
Affiliations:
-
Ort, Verlag, Ausgabe: London : Institute of Physics
Seiten: - Band / Heft: - Artikelnummer: - Start- / Endseite: 355 - 358 Identifikator: ISBN: 0 7503 0979 2

Quelle 2

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Titel: Institute of Physics Conference Series
Genre der Quelle: Reihe
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 180 Artikelnummer: - Start- / Endseite: - Identifikator: -