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  Growth and microstructural characterization of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy

Zhou, H., Rupp, B., Phillipp, F., Henn, B., Gross, M., Rühm, A., et al. (2003). Growth and microstructural characterization of GaN films grown by laser induced reactive epitaxy. Journal of Applied Physics, 93, 1933-1940.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2D9B-0 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2D9D-C
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : J. Appl. Phys.

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Zhou, H.1, Autor
Rupp, B.2, Autor
Phillipp, F.3, Autor           
Henn, B.2, Autor
Gross, M.2, Autor
Rühm, A.4, Autor           
Schröder, H.4, Autor           
Affiliations:
1Max Planck Society, ou_persistent13              
2DLR, Institut für Technische Physik, Stuttgart, Germany, ou_persistent22              
3Former Dept. Microstructure Interfaces, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, DE, ou_1497657              
4Dept. Metastable and Low-Dimensional Materials, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497645              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Rühle; ZWE Hochspannungs-Mikroskopie;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2003
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 49869
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Applied Physics
  Alternativer Titel : J. Appl. Phys.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 93 Artikelnummer: - Start- / Endseite: 1933 - 1940 Identifikator: -