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  Atomic structure of the interface between silicon (111) and amorphous germanium

Borgardt, N. I., Plikat, B., Schröter, W., Seibt, M., & Wagner, T. (2004). Atomic structure of the interface between silicon (111) and amorphous germanium. Physical Review B, 70(19): 195307.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2894-8 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0010-2895-6
Genre: Zeitschriftenartikel
Alternativer Titel : Phys. Rev. B

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Borgardt, N. I.1, Autor
Plikat, B.1, Autor
Schröter, W.1, Autor
Seibt, M.1, Autor
Wagner, T.2, Autor           
Affiliations:
1Univ Gottingen, Inst Phys 4, D-37077 Gottingen, Germany.; Sonderforschungsbereich 602, D-37077 Gottingen, Germany.; Moscow Inst Elect Technol, Moscow 103498, Russia., ou_persistent22              
2Central Scientific Facility Thin Film Laboratory, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497640              

Inhalt

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Schlagwörter: MPI für Metallforschung; Abt. Arzt; ZWE Dünnschichtlabor;
 Zusammenfassung: -

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2004-11
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 211362
ISI: 000225477800085
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Physical Review B
  Alternativer Titel : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 70 (19) Artikelnummer: 195307 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 1098-0121