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  Silicon on insulator nanoscale backside interconnects for atomic and molecular scale circuits

Lwin, M. H. T., Tun, T. N., Kim, H. H., Kajen, R. S., Chandrasekhar, N., & Joachim, C. (2010). Silicon on insulator nanoscale backside interconnects for atomic and molecular scale circuits. Journal of Vacuum Science & Technology B, 28(5), 978-984.

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Basisdaten

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Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000F-7387-0 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0023-C4CC-1
Genre: Zeitschriftenartikel

Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Lwin, M. H. T., Autor
Tun, T. N.1, Autor           
Kim, H. H., Autor
Kajen, R. S., Autor
Chandrasekhar, N., Autor
Joachim, C., Autor
Affiliations:
1MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1309545              

Inhalt

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Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2010
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: -
 Identifikatoren: eDoc: 504948
Anderer: P-10-319
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Journal of Vacuum Science & Technology B
  Alternativer Titel : J. Vac. Sci. Technol. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 28 (5) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 978 - 984 Identifikator: -