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  Interface state mapping in a Schottky barrier of the organic semiconductor terrylene

Stallinga, P., Gomes, H. L., Murgia, M., & Müllen, K. (2002). Interface state mapping in a Schottky barrier of the organic semiconductor terrylene. Organic Electronics, 3(1), 43-51.

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Externe Referenzen

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Urheber

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 Urheber:
Stallinga, P., Autor
Gomes, H. L., Autor
Murgia, M., Autor
Müllen, Klaus1, Autor           
Affiliations:
1MPI for Polymer Research, Max Planck Society, ou_1309545              

Inhalt

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Schlagwörter: organic semiconductors; interface states; Schottky barrier
 Zusammenfassung: In this work we quantitatively map interface states in energy in a Schottky barrier between aluminum and the vacuum sublimed organic semiconductor terrylene. The density map of these interface states was extracted from the, admittance spectroscopy data. They revealed an interface state density of 2 x 10(12). cm(-2)eV(-1) close to the valence band which decreases slightly towards midgap. Additional do measurements show that the semiconductor bulk activation energy is 0.33 eV which may correspond to an acceptor level. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Details

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Sprache(n): eng - English
 Datum: 2002-03
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: -
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Keine Begutachtung
 Identifikatoren: eDoc: 28413
ISI: 000180828200006
Anderer: P-02-105
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

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Entscheidung

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Projektinformation

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Quelle 1

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Titel: Organic Electronics
  Alternativer Titel : Org. Electron.
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: -
Seiten: - Band / Heft: 3 (1) Artikelnummer: - Start- / Endseite: 43 - 51 Identifikator: ISSN: 1566-1199