Deutsch
 
Hilfe Datenschutzhinweis Impressum
  DetailsucheBrowse

Datensatz

DATENSATZ AKTIONENEXPORT
Zur Ablage hinzufügen
 DetailsÜbersicht
  Tuning the electronic structure of ultrathin crystalline silica films on Ru(0001)

Włodarczyk, R., Sierka, M., Sauer, J., Loeffler, D., Uhlrich, J., Yu, X., et al. (2012). Tuning the electronic structure of ultrathin crystalline silica films on Ru(0001). Physical Review B, 85(8): 085403. doi:10.1103/PhysRevB.85.085403.

Item is

 

einblenden: alle ausblenden: alle

Basisdaten

einblenden: ausblenden:
Datensatz-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000F-4C90-2 Versions-Permalink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-C288-5
Genre: Zeitschriftenartikel

Dateien

einblenden: Dateien
ausblenden: Dateien
:
e085403.pdf (Verlagsversion), 755KB
Öffnen   Speichern
Datei-Permalink:
https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-000F-8420-D
Name:
e085403.pdf
Beschreibung:
-
OA-Status:
Sichtbarkeit:
Öffentlich
MIME-Typ / Prüfsumme:
application/pdf / [MD5]
Technische Metadaten:
Öffnen
Copyright Datum:
2012
Copyright Info:
APS
Lizenz:
-

Externe Referenzen

einblenden:

Urheber

einblenden:
ausblenden:
 Urheber:
Włodarczyk, Radosław1, Autor
Sierka, Marek1, Autor
Sauer, Joachim1, Autor
Loeffler, Daniel2, Autor           
Uhlrich, John2, Autor           
Yu, Xin2, Autor           
Yang, Bing2, Autor           
Groot, Irene2, Autor           
Shaikhutdinov, Shamil K.2, Autor           
Freund, Hans-Joachim2, Autor           
Affiliations:
1Humbold-Universität zu Berlin, Institut für Chemie, Berlin, DE, ou_persistent13              
2Chemical Physics, Fritz Haber Institute, Max Planck Society, Berlin, DE, ou_24022              

Inhalt

einblenden:
ausblenden:
Schlagwörter: -
 Zusammenfassung: A combination of density functional theory calculations and photoelectron spectroscopy provides new insights into the atomistic picture of ultrathin silica films grown on Ru(0001). The silica film features a double-layer silicate sheet formed by corner-sharing [SiO4] tetrahedra and is weakly bound to the Ru(0001) substrate. This allows oxygen atoms to reversibly adsorb directly on the metal surface underneath the silica film. We demonstrate that the amount of adsorbed oxygen can be reversibly varied by vacuum annealing and oxidation, which in turn result in gradual changes of the silica/Ru electronic states. This finding opens the possibility for tuning the electronic properties of oxide/metal systems without altering the thickness or the structure of an oxide overlayer.

Details

einblenden:
ausblenden:
Sprache(n): eng - English
 Datum: 2011-12-262011-10-172012-02-022012-02-15
 Publikationsstatus: Erschienen
 Seiten: 7
 Ort, Verlag, Ausgabe: -
 Inhaltsverzeichnis: -
 Art der Begutachtung: Expertenbegutachtung
 Identifikatoren: DOI: 10.1103/PhysRevB.85.085403
 Art des Abschluß: -

Veranstaltung

einblenden:

Entscheidung

einblenden:

Projektinformation

einblenden:

Quelle 1

einblenden:
ausblenden:
Titel: Physical Review B
  Andere : Phys. Rev. B
Genre der Quelle: Zeitschrift
 Urheber:
Affiliations:
Ort, Verlag, Ausgabe: Woodbury, NY : American Physical Society
Seiten: - Band / Heft: 85 (8) Artikelnummer: 085403 Start- / Endseite: - Identifikator: ISSN: 1098-0121
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925225008