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  Stress originating from nanovoids in hydrogenated amorphous semiconductors

Wang, Z., Flötotto, D., & Mittemeijer, E. J. (2017). Stress originating from nanovoids in hydrogenated amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, 121(9):. doi:10.1063/1.4977853.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-002E-08D3-B 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/21.11116/0000-0003-B49A-4
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Wang, Zumin1, 2, 著者           
Flötotto, David2, 3, 著者           
Mittemeijer, Eric Jan2, 4, 著者           
所属:
1School of Materials Science and Engineering, Tianjin University , 300350 Tianjin, China, ou_persistent22              
2Emeriti and Others, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497650              
3Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, 104 South Goodwin Avenue, Urbana, Illinois 61801-2902, USA, ou_persistent22              
4Institute for Materials Science, University of Stuttgart, Heisenbergstrasse 3, D-70569 Stuttgart, Germany, ou_persistent22              

内容説明

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キーワード: Emeriti and Others
 要旨: -

資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2017-03-062017
 出版の状態: 出版
 ページ: 6
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1063/1.4977853
 学位: -

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訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Journal of Applied Physics
  省略形 : J. Appl. Phys.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: New York, NY : AIP Publishing
ページ: - 巻号: 121 (9) 通巻号: 095307 開始・終了ページ: - 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0021-8979
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/991042723401880