High-Performance ZnO Nanowire Transistors with Aluminium Top-Gate Electrodes 
and Naturally Formed Hybrid Self-Assembled Monolayer/AlOx Gate Dielectric

Kaelblein, Daniel; Ryu, Hyeyeon; Ante, Frederik; Fenk, Bernhard; Hahn, Kersten; Kern, Klaus; Klauk, Hagen

doi:10.1021/nn501484e

High-Performance ZnO Nanowire Transistors with Aluminium Top-Gate Electrodes and Naturally Formed Hybrid Self-Assembled Monolayer/AlO<Sub>x</Sub> Gate Dielectric

Kaelblein, D., Ryu, H., Ante, F., Fenk, B., Hahn, K., Kern, K., & Klauk, H. (2014). High-Performance ZnO Nanowire Transistors with Aluminium Top-Gate Electrodes and Naturally Formed Hybrid Self-Assembled Monolayer/AlO_x Gate Dielectric. ACS Nano, 8, 6840-6848. doi:10.1021/nn501484e.

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0024-3BD3-5 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0026-B55F-2

資料種別: 学術論文

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Kaelblein, Daniel¹, 著者
Ryu, Hyeyeon¹, 著者
Ante, Frederik¹, 著者
Fenk, Bernhard¹, 著者
Hahn, Kersten², 著者
Kern, Klaus¹, 著者
Klauk, Hagen¹, 著者

所属:
1Max Planck Institute for Solid State Research, Heisenbergstrasse 1, 70569 Stuttgart, ou_persistent22
2Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Intelligent Systems, Max Planck Society, ou_1497669

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キーワード: StEM

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言語: eng - English

日付: オンライン出版: 2014-06-18出版: 2014

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査読: 査読あり

識別子（DOI, ISBNなど）: DOI: 10.1021/nn501484e

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出版物名: ACS Nano

種別: 学術雑誌

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出版社, 出版地: Washington, DC : American Chemical Society

ページ: - 巻号: 8 通巻号: - 開始・終了ページ: 6840 - 6848 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: その他: 1936-0851
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/1936-0851

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