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  Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN

Markurt, T., Lymperakis, L., Neugebauer, J., Drechsel, P., Stauß, P., Schulz, T., Remmele, T., Grillo, V., Rotunno, E., & Albrecht, M. R. (2013). Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN. Physical Review Letters, 110(3):. doi:10.1103/PhysRevLett.110.036103.

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基本情報

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資料種別: 学術論文

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 作成者:
Markurt, Toni1, 著者           
Lymperakis, Liverios2, 著者           
Neugebauer, Jörg3, 著者           
Drechsel, Philipp4, 著者           
Stauß, Peter4, 著者           
Schulz, Tobias5, 著者           
Remmele, Thilo1, 著者           
Grillo, Vincenzo6, 7, 著者           
Rotunno, Enzo6, 著者           
Albrecht, Martin R.8, 著者           
所属:
1Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany, ou_persistent22              
2Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863344              
3Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society, ou_1863337              
4OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg, Germany, ou_persistent22              
5Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Straße 2, 12489 Berlin, Germany, ou_persistent22              
6National Research Centre IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, Italy, ou_persistent22              
7National Research Centre S3 CNR-INFM, Via Campi 213/A, 41125 Modena, Italy, ou_persistent22              
8Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Straße 2, Berlin, Germany, ou_persistent22              

内容説明

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資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2013-01-18
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子(DOI, ISBNなど): eDoc: 670850
DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.036103
 学位: -

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訴訟

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Project information

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出版物 1

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出版物名: Physical Review Letters
  省略形 : Phys. Rev. Lett.
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: Woodbury, N.Y. : American Physical Society
ページ: 5 巻号: 110 (3) 通巻号: 036103 開始・終了ページ: - 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): ISSN: 0031-9007
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925433406_1