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  Giant magneto resistance in semiconducting DyNiBi

Casper, F., & Felser, C. (2008). Giant magneto resistance in semiconducting DyNiBi. Solid State Communications, 148(5-6), 175-177. doi:10.1016/j.ssc.2008.08.027.

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資料種別: 学術論文

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Casper, Frederick1, 著者
Felser, Claudia2, 著者           
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2External Organizations, ou_persistent22              

内容説明

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キーワード: -
 要旨: The semiconducting half-Heulser compound DyNiBi shows a negative giant magneto resistance (GMR) below 200 K. Except for a weak deviation, this magnetoresistance scales roughly with the square of the magnetization in the paramagnetic state, and is related to the metal-insulator transition. At low temperature, a positive magnetoresistance is found, which can be suppressed by high fields. The magnitude of the positive magnetoresistance changes slightly with the amount of impurity phase. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.

資料詳細

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言語:
 日付: 2008-11-01
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子(DOI, ISBNなど): ISI: 000260481400001
DOI: 10.1016/j.ssc.2008.08.027
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Solid State Communications
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: New York : Pergamon
ページ: - 巻号: 148 (5-6) 通巻号: - 開始・終了ページ: 175 - 177 識別子(ISBN, ISSN, DOIなど): ISSN: 0038-1098
CoNE: https://pure.mpg.de/cone/journals/resource/954925445695