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  Prediction of Weak Topological Insulators in Layered Semiconductors

Yan, B., Müchler, L., & Felser, C. (2012). Prediction of Weak Topological Insulators in Layered Semiconductors. Physical Review Letters, 109(11):, pp. 116406-1-116406-5. doi:10.1103/PhysRevLett.109.116406.

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基本情報

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アイテムのパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0015-203C-B 版のパーマリンク: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0015-203D-9
資料種別: 学術論文

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作成者

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 作成者:
Yan, B.1, 著者           
Müchler, L.2, 著者           
Felser, C.3, 著者           
所属:
1Binghai Yan, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863427              
2Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863404              
3Claudia Felser, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society, ou_1863429              

内容説明

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資料詳細

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言語: eng - English
 日付: 2012-09-13
 出版の状態: 出版
 ページ: -
 出版情報: -
 目次: -
 査読: -
 識別子（DOI, ISBNなど）: eDoc: 619246
DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.116406
 学位: -

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出版物 1

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出版物名: Physical Review Letters
種別: 学術雑誌
 著者・編者:
所属:
出版社, 出版地: -
ページ: - 巻号: 109 (11) 通巻号: 116406 開始・終了ページ: 116406-1 - 116406-5 識別子（ISBN, ISSN, DOIなど）: ISSN: 0031-9007